更新時(shí)間:2024-11-06
數(shù)顯恒速攪拌機(jī)型號(hào):JB-60D工作原理 本設(shè)備采用電子恒力調(diào)速線路,數(shù)字直接顯示轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)速。能適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室不同的試驗(yàn)需要,并可根據(jù)顯示的轉(zhuǎn)軸速度直接計(jì)算攪拌、分散、的線速度及化學(xué)反應(yīng)速率之間的關(guān)系,為大規(guī)模投產(chǎn)提供正確的工藝數(shù)據(jù)。
數(shù)顯恒速攪拌機(jī)
數(shù)顯恒速攪拌機(jī) 型號(hào):JB-60D
工作原理
本設(shè)備采用電子恒力調(diào)速線路,數(shù)字直接顯示轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)速。能適應(yīng)實(shí)驗(yàn)室不同的試驗(yàn)需要,并可根據(jù)顯示的轉(zhuǎn)軸速度直接計(jì)算攪拌、分散、的線速度及化學(xué)反應(yīng)速率之間的關(guān)系,為大規(guī)模投產(chǎn)提供正確的工藝數(shù)據(jù)。
本機(jī)的攪拌頭在電機(jī)的高速驅(qū)動(dòng)下,產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)切向高線速度,物料在巨大的離心力作用下,產(chǎn)生強(qiáng)大的液力剪切和高頻機(jī)械效應(yīng),使流體物料每分承受上千次的剪切和高頻機(jī)械效應(yīng),從而達(dá)到效率混合、分散、的效果。
范圍和主要技術(shù)參數(shù)
本機(jī)于在容器內(nèi)進(jìn)行流體物料實(shí)驗(yàn)。
主要技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | JB60D | JB90D | JB120D | JB200D | JB300D |
輸出功率 | 60W | 90W | 120W | 200W | 300W |
額定電壓/頻率 | 220V 50HZ | ||||
調(diào)速范圍 | 100-2000r/min、100-3000r/min、100-4000r/min(任選一款) | ||||
攪拌棒 | ¢8×300mm (不銹鋼攪拌漿) | ||||
攪拌機(jī)外型尺寸 (長×寬×高) |
350×250×750mm | ||||
凈重 | 12kg | 13kg | 13.5kg | 14kg | 14.5kg |
主要構(gòu)造
本機(jī)主要由以下幾個(gè)部件組成:
1、電機(jī)
2、智能控制儀(觸摸式按鍵,可隨意控制轉(zhuǎn)速)
3、不銹鋼攪拌棒
4、開放式支架.
5、固定夾及萬用夾具
產(chǎn)品名稱:數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào): LT-100C |
數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào): LT-100C
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測(cè)量,特按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測(cè)試儀。
該設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計(jì)制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn),經(jīng)過數(shù)次全國十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn),證明是一種成熟可靠的測(cè)試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量;也可對(duì)硅片進(jìn)行測(cè)量,給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。
LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn):
1、 可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對(duì)切割面或研磨面進(jìn)行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整流器、晶體管級(jí)硅單晶的少子壽命。
2、 可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命,表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形,并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。
4、配置兩種波長的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強(qiáng),有利于測(cè)量低阻太陽能級(jí)硅晶體。
5、測(cè)量范圍寬廣
測(cè)試儀可直接測(cè)量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對(duì)壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms